受中国的消费补贴刺激政策的推动以及存储芯片市场需求回暖等因素影响，三星电子和SK海力士去年在华销售额实现大幅增长。 其中，三星电子3月12日公布的业务报告显示，该公司2024年对华出口的产品总价值达到了64.9275万亿韩元（约合人民币3226.9亿元），比上一年的42.3万亿韩元增长了53.9%，也超过了对美国的61.3533万亿韩元出口额。虽然这个出口额包括了智能手机、电视、显示屏等产品，但是半导体芯片（包括NAND Flash、DRAM、显示驱动芯片、图像传感器等）占据了大部分。而且，三星电子本身在中国西安拥有NAND Flash工厂，这部分的芯片也有很大部分是在中国销售。 三星电子的审计报告数据显示，2024年三星电子在中国西安的NAND Flash工厂销售额同比（2023年为8.7万亿韩元）增长28.5%至11.1802万亿韩元（约合人民币555.66亿元），营业利润达1.1954万亿韩元（约合人民币59.41亿元）。 同样，SK海力士2024年在中国的业务也实现了稳健增长。该公司的无锡动态随机存取存储器（DRAM）工厂去年转亏为盈，营业利润为5985亿韩元，2023年则净亏损1.5万亿韩元；无锡半导体销售分公司去年销售额13.0104万亿韩元和净利润1432亿韩元，分别同比增长64.3%和65.4%。 行业分析师将两家公司的业绩增长归因于中国“以旧换新”补贴政策刺激的电子产品需求以及贸易不确定性下的预防性芯片采购等。 从市场情况来看，尽管去年用于AI服务器的高性能半导体（如HBM）需求旺盛，但由于经济衰退和消费者支出放缓，PC和智能手机使用的通用存储器供应过剩，这导致去年10月和11月NAND闪存价格下降约30%。但今年初市场开始显示复苏迹象。 “这一复苏推动了D-RAM和NAND闪存等关键组件的价格上涨，其中主要归因于全球人工智能热潮和经济状况的改善，重新点燃了消费者对高性能半导体的兴趣。”有半导体业内人士向证券时报记者分析称。 据市场研究公司DRAMeXchange在3月13日的报告，通用D-RAM DDR4 8Gb产品的平均现货交易价格录得1.466美元。这标志着自3月7日以来连续五天的上涨。同时，16Gb DDR5产品的现货价格在3月12日较上月上涨超过6%，达到5.068美元。这一上升趋势预计将持续。 与此同时，多家企业对存储半导体市场回暖持乐观态度。其中，SanDisk（闪迪）近期宣布计划在4月1日将产品价格提高超过10%，因预期需求将很快超过供应。美光科技对市场前景表示乐观，称“PC和智能手机的库存水平正在改善，预计到春季将达到健康状态。”。根据渠道反�。そ娲⒘闶燮放浦绿步�4月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超过10%。 在SK海力士总裁郭鲁正看来：“由于NAND供应过剩，整个行业一直在减少生产，我认为情况将在今年年底前改善。整个行业正在努力稳定NAND市�。虼撕芸炀突岷米�。” “2025年初，各NAND Flash原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，期待有效降低供应位元增长率，此举有助于快速减轻市场供需失衡的压力，为价格反弹铺定基础。此外，自2024年第四季起，中国持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激智能手机销量，加速NAND Flash库存去化速度。智能手机品牌厂有机会在今年第二季扩大建立低价库存，带动需求动能。”TrendForce集邦咨询在今年2月17日的报告中写道。 集邦咨询认为，NAND Flash市场供需结构将有望在下半年显著改善，包含原厂减产、智能手机库存去化、AI及DeepSeek效应等因素将推升NAND Flash需求，从而缓解供过于求的局面，预期下半年也将迎来价格回升。 Gartner的预测进一步支持了存储半导体市场的预期复苏，预计今年AI PC的市场规模将增长165.5%，从去年的4302万台增加到1.1422亿台。这一增长预计将推动对存储半导体的需求，促使三星电子和SK海力士等主要存储企业考虑在价格上涨持续的情况下扩大通用产品的生产。